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產(chǎn)品說明:采用壓接式技術的50 mm晶閘管模塊,1800 V
封裝:BG-PB50AT-1產(chǎn)品說明:采用焊接技術的50 mm晶閘管模塊,1800 V
封裝:BG-PB50SB-1產(chǎn)品說明:采用焊接技術的34 mm晶閘管模塊,1800 V
封裝:BG-PB34SB-1產(chǎn)品說明:采用焊接技術的34 mm晶閘管模塊,1600 V
封裝:BG-PB34SB-1產(chǎn)品說明:采用焊接技術的34 mm晶閘管模塊,1800 V
封裝:BG-PB34SB-1產(chǎn)品說明:采用焊接技術的50 mm晶閘管模塊,1600 V
封裝:BG-PB50SB-1產(chǎn)品說明:采用壓力接觸技術的70 mm單整流二極管模塊,4400 V
封裝:BG-PB70-1產(chǎn)品說明:采用壓力接觸技術的50 mm單整流二極管模塊,3600 V
封裝:BG-PB501-1產(chǎn)品說明:采用壓力接觸技術的70 mm單整流器模塊,2600 V
封裝:BG-PB70-1產(chǎn)品說明:采用焊接技術的34 mm 整流器/二極管模塊,2200 V
封裝:BG-PB34SB-1產(chǎn)品說明:N溝道600 V、61 mOhm典型值、39 A MDmesh M6功率MOSFET,TO-247封裝
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:N溝道600 V、0.2 Ohm、16 A MDmesh(TM) II功率MOSFET,TO-220FP封裝
封裝:TO-220-3產(chǎn)品說明:采用壓力接觸技術的70 mm單晶閘管模塊,1800 V
封裝:BG-PB70AT-1產(chǎn)品說明:采用 DPAK 封裝的 P 溝道功率 MOSFET
封裝:TO-252-3產(chǎn)品說明:采用壓力接觸技術的70 mm單晶閘管模塊,2200 V
封裝:BG-PB70AT-1電話咨詢:86-755-83294757
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