商品名稱:NFAQ0560R43T
數(shù)據(jù)手冊(cè):NFAQ0560R43T.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:38-PowerDIP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NFAQ0560R43T 是一款完全集成的逆變器功率級(jí),由一個(gè)高壓驅(qū)動(dòng)器、六個(gè)IGBT(FS4 RC IGBT技術(shù))和一個(gè)熱敏電阻組成,適用于驅(qū)動(dòng)永磁同步電機(jī)(PMSM)、無刷直流(BLDC)電機(jī)和交流異步電機(jī)。IGBT配置為三相橋,下引腳采用單獨(dú)的發(fā)射極連接,以最大限度地靈活選擇控制算法。
規(guī)格
類型:IGBT
配置:三相反相器
電壓:600 V
電壓 - 隔離:2000Vrms
安裝類型:通孔
封裝/外殼:38-PowerDIP 模塊(0,610",24,00mm),24 引線
典型應(yīng)用
? 工業(yè)泵
? 工業(yè)風(fēng)扇
? 工業(yè)自動(dòng)化
? 家用電器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
N2DIP-26L
3000
功率驅(qū)動(dòng)器模塊 IGBT 三相反相器 600 V 6 A 26-PowerDIP 模塊(0.846",21.48mm)
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄嚒⑼ㄐ?、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
NTMFS4925NT1G
NTMFS4925NT1G是一款高性能 N 通道功率 MOSFET,專為高效率、低功耗應(yīng)用設(shè)計(jì)。LB11988V
LB11988V是一款電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 IC,最適合用于驅(qū)動(dòng)直流風(fēng)扇電機(jī)。NTBGS001N06C
NTBGS001N06C是一款小尺寸、設(shè)計(jì)緊湊的MOSFET,具有低RDS(on) 和低電容。低RDS(on) 值可最大限度降低導(dǎo)通損耗,低電容可最大限度降低驅(qū)動(dòng)器損耗?;緟?shù)晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:60 VId-連續(xù)漏極電流:342 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:…NVMJST1D4N06CLTXG
NVMJST1D4N06CLTXG汽車功率MOSFET采用TCPAK57封裝,設(shè)計(jì)緊湊高效,具有高散熱性能。通過AEC-Q101認(rèn)證的MOSFET和PPAP適合要求更高電路板級(jí)可靠性的汽車應(yīng)用。基本參數(shù)Vds-漏源極擊穿電壓:60 VId-連續(xù)漏極電流:198 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.49 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:…NVMFWS2D1N08XT1G
NVMFWS2D1N08XT1G是一款單N-通道功率MOSFET,具有80V的漏源電壓和181A的連續(xù)漏極電流,導(dǎo)通電阻為2.1mohm??。該器件采用SO8FL封裝,適用于需要高電流處理的電路設(shè)計(jì)。產(chǎn)品屬性晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:80 VId-連續(xù)漏極電流:181 A…NXH600N100L4F5PG
NXH600N100L4F5PG是一款功率模塊,內(nèi)置一個(gè)I型中性點(diǎn)箝位三電平逆變器。集成的場截止溝槽IGBTs和frd提供更低的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗,使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)崿F(xiàn)高效率和出色的可靠性。特征? 中性點(diǎn)箝位三電平逆變器模塊? 1000 V 場截止器 4 個(gè) IGBT? 低電感布局? 壓接銷? 熱…電話咨詢:86-755-83294757
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