NVMYS9D3N06CLTWG 是一款適用于緊湊和高效設計的60V汽車功率 MOSFET。該器件采用 5x6mm LFPAK 封裝且具有較高的熱性能。
產品屬性
FET 類型:N 通道
技術:MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):14A(Ta),50A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):9.2 毫歐 @ 25A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2V @ 35μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):9.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值):20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):880 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3.6W(Ta),46W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等級:汽車級
資質:AEC-Q101
安裝類型:表面貼裝型
供應商器件封裝:LFPAK4(5x6)
封裝/外殼:SOT-1023,4-LFPAK
基本產品編號:NVMYS9D3
型號
品牌
封裝
數量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝
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