STL8DN6LF6AG - 采用 PowerFLAT? (5x6) 封裝的 60V、27mOhm 汽車級雙 N 溝道 MOSFET 晶體管
型號：STL8DN6LF6AG
封裝：8-PowerVDFN
類型：MOSFET 晶體管
描述：MOSFET 汽車級雙 N 溝道 60V，27mOhm
產(chǎn)品概述
STL8DN6LF6AG 是一款雙 N 溝道功率 MOSFET，采用 STripFET F6 技術(shù)和新型溝槽柵極結(jié)構(gòu)開發(fā)而成。由此產(chǎn)生的功率 MOSFET 在所有封裝中都具有極低的 RDS(on)。
產(chǎn)品特性
通過 AEC-Q101 認證
導(dǎo)通電阻極低
極低的柵極電荷
高雪崩堅固性
柵極驅(qū)動功率損耗低
可潤濕側(cè)面封裝
應(yīng)用
開關(guān)應(yīng)用
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
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