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QPD1035是一款40W(P3dB)SiC HEMT分立式GaN，采用50V供電軌，工作頻率范圍為DC至6 GHz。該器件具有輸入預匹配功能，非常適合脈沖和CW操作的寬帶放大器應用。

應用：

軍用雷達

民用雷達

專業(yè)和軍事無線電通信

測試儀器

寬帶或窄帶放大器

干擾機

QPD1035的規(guī)格：

工作頻率：DC 至 6 GHz

Pd-功率耗散：50.4 W

安裝風格：Flanged

工作溫度：- 40°C 至 + 85°C

商標：Qorvo

開發(fā)套件：QPD1035EVB0- 50V, QPD1035LEVB0-50V

增益：12.1 dB

最大漏極/柵極電壓：145 V

輸出功率：50 W

封裝：Reel

封裝：Cut Tape

產品類型：GaN FETs

系列：QPD1035

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