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STM8S105K6T3CTR 是意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出的 8位微控制器，屬于 STM8S系列 的 Access Line 產(chǎn)品線。該芯片采用 16MHz主頻，集成 32KB Flash程序存儲器 和 1KB EEPROM，面向工業(yè)控制、消費電子等場景，兼具低功耗與高性價比。

核心參數(shù)與功能特性

基礎(chǔ)性能

內(nèi)核架構(gòu)：基于 STM8核心，支持哈佛架構(gòu)與三級流水線，主頻最高 16MHz，性能達 16 MIPS。

存儲資源：

32KB Flash：支持55°C下數(shù)據(jù)保留 20年，擦寫次數(shù)達 10萬次。

1KB EEPROM：數(shù)據(jù)存儲耐久性 30萬次擦寫。

RAM容量：2KB，支持實時數(shù)據(jù)處理。

外設(shè)與接口

通信接口：集成 UART、SPI、I2C，支持同步通信與智能卡模式。

定時器：

16位高級控制定時器：支持PWM輸出、死區(qū)時間控制。

2×16位通用定時器：用于信號捕獲與PWM生成。

ADC模塊：10位精度，支持 10通道模擬輸入，掃描模式與電壓監(jiān)測功能。

封裝與可靠性

封裝形式：32-LQFP（7×7mm），適用于緊湊型PCB設(shè)計。

工作條件：電壓范圍 2.95V~5.5V，溫度范圍 -40℃~+125℃，符合工業(yè)級標(biāo)準(zhǔn)。

STM8S105K6T3CTR 一般參數(shù)

核心處理器： STM8  

內(nèi)核規(guī)格： 8 位  

速度： 16MHz  

連接能力： I2C，IrDA，LINbus，SPI，UART/USART  

外設(shè)： 欠壓檢測/復(fù)位，POR，PWM，WDT  

I/O 數(shù)： 25  

程序存儲容量： 32KB（32K x 8）  

程序存儲器類型： 閃存  

EEPROM 容量： 1K x 8  

RAM 大?。?2K x 8  

電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)： 2.95V ~ 5.5V  

數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 7x10b  

振蕩器類型： 內(nèi)部  

工作溫度： -40°C ~ 125°C（TA）  

安裝類型： 表面貼裝型 

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