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MachXO2器件采用65納米非易失性低功耗工藝設計。該器件架構(gòu)具有多種特性，例如可編程低擺幅差分I/O，以及動態(tài)關(guān)閉I/O組、片上PLL和振蕩器的能力。這些特性有助于管理靜態(tài)和動態(tài)功耗，從而使該系列的所有成員都具有較低的靜態(tài)功耗。

MachXO2器件有兩個版本--超低功耗（ZE）和高性能（HC和HE）器件。超低功耗器件有三個速度等級-1、-2和-3，其中-3速度最快。同樣，高性能器件有三個速度等級：-4、-5 和 -6，其中 -6 速度最快。HC 器件有一個內(nèi)部線性穩(wěn)壓器，支持 3.3 V 或 2.5 V 的外部 VCC 電源電壓。ZE 和 HE 設備只接受 1.2 V 作為外部 VCC 電源電壓。除電源電壓外，所有三種類型的器件（ZE、HC 和 HE）在功能上相互兼容，引腳也相互兼容。

LCMXO2-640ZE-2MG132C產(chǎn)品屬性

系列： MachXO2  

LAB/CLB 數(shù)： 80  

邏輯元件/單元數(shù)： 640  

總 RAM 位數(shù)： 18432  

I/O 數(shù)： 79  

電壓 - 供電：1.14V ~ 1.26V  

安裝類型： 表面貼裝型  

工作溫度： 0°C ~ 85°C（TJ）  

封裝/外殼： 132-LFBGA，CSPBGA  

供應商器件封裝： 132-CSPBGA（8x8）  

基本產(chǎn)品編號： LCMXO2-640

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