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SAMSUNG —— 回收高帶寬內存(?HBM、?HBM2、?HBM3、?HBM4)

SAMSUNG —— 回收高帶寬內存(?HBM、?HBM2、?HBM3、?HBM4)

來源:本站時間:2025-02-18瀏覽數(shù):

深圳市明佳達電子有限公司,作為電子回收領域的佼佼者,憑借其雄厚的經濟實力和良好的商業(yè)信譽,迅速在世界各地贏得了眾多工廠客戶的信賴,建立了長期合作關系。三星(SAMSUNG)HBM(高帶寬存儲)解決方案已為高性能計算(HPC) 進行優(yōu)化,提供支持下一代技術——如人工智能…

深圳市明佳達電子有限公司,作為電子回收領域的佼佼者,憑借其雄厚的經濟實力和良好的商業(yè)信譽,迅速在世界各地贏得了眾多工廠客戶的信賴,建立了長期合作關系。


三星(SAMSUNG)HBM(高帶寬存儲)解決方案已為高性能計算(HPC) 進行優(yōu)化,提供支持下一代技術——如人工智能(AI)——所需的性能, 這些技術將改變我們的生活、工作和連接方式。明佳達電子回收的HBM產品主要包括以下幾個:

1、HBM?:這是最早的版本,采用了3D堆疊技術,將多個DRAM芯片垂直堆疊在一起,通過硅通孔(TSV)技術實現(xiàn)芯片間的高速信號傳輸。

2、HBM2?:HBM2的數(shù)據(jù)傳輸速率從每引腳1Gbps-1.6Gbps提升到了2Gbps-3.2Gbps,總帶寬大幅提升,能夠達到每秒幾百GB。

3、HBM2E:HBM2e在高性能計算和圖形處理中表現(xiàn)出色,提供了更高的存儲容量和更低的功耗?。

4、HBM3?:HBM3的帶寬高達819GB/s,處理速度達到6.4Gbps。HBM3 Icebolt采用12層10納米級16 Gb DRAM die堆疊,存儲容量達到24GB,能效比上一代產品提高了10%?。

5、HBM3E:這是HBM3的擴展版本,提供了更高的堆棧層數(shù)和帶寬。HBM3E有8hi和12hi兩種規(guī)格,進一步提升了內存系統(tǒng)的數(shù)據(jù)吞吐能力?。

6、HBM4?:采用了4nm制程的邏輯芯片和10nm制程的DRAM。HBM4支持2048位接口和6.4GT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率,單個堆棧帶寬達到1.6TB/s,極大地提升了內存系統(tǒng)的數(shù)據(jù)吞吐能力,適用于人工智能、深度學習、大數(shù)據(jù)處理和高性能計算等領域?。


回收流程

1、您將積壓的IC/模組庫存進行簡單分類,確定型號、品牌、生產日期、數(shù)量等。

2、請將庫存清單通過傳真或郵件方式發(fā)送到我們評估團隊。

3、等待公司專業(yè)人士的采購報價,達成協(xié)議后雙方商談具體交易方式進行交付。

4、公司只回收正規(guī)渠道貨源,如代理商、貿易商、終端工廠等,不接受不是正規(guī)渠道貨源。


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