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供應車規(guī)級MOSFET IAUT300N08S5N014 N 通道 - 增強模式

供應車規(guī)級MOSFET IAUT300N08S5N014 N 通道 - 增強模式

來源:本站時間:2023-11-15瀏覽數(shù):

明佳達電子供應車規(guī)級MOSFET IAUT300N08S5N014 表面貼裝型 N 通道 80 V 300A(DC) 300W(Tc) PG-HSOF-8-1型號:IAUT300N08S5N014 年份:新、描述:80V、N-Ch、最大 1.4 mΩ、汽車 MOSFET、TOLL、OptiMOS?-5 晶體管產(chǎn)品屬性系列: OptiMOS?-5 包裝: 卷帶(TR)剪切帶…

明佳達電子供應車規(guī)級MOSFET IAUT300N08S5N014 表面貼裝型 N 通道 80 V 300A(DC) 300W(Tc) PG-HSOF-8-1


型號:IAUT300N08S5N014 

年份:新、

描述:80V、N-Ch、最大 1.4 mΩ、汽車 MOSFET、TOLL、OptiMOS?-5 晶體管


產(chǎn)品屬性

系列: OptiMOS?-5  

包裝: 卷帶(TR)剪切帶(CT)

產(chǎn)品狀態(tài) :在售  

FET 類型: N 通道  

技術: MOSFET(金屬氧化物)  

漏源電壓(Vdss): 80 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :300A(DC)  

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值): 1.4 毫歐 @ 100A,10V  

不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 3.8V @ 230μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 187 nC @ 10 V  

Vgs(最大值): ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 13178 pF @ 40 V  

功率耗散(最大值): 300W(Tc)  

工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)  

安裝類型: 表面貼裝型  

供應商器件封裝: PG-HSOF-8-1  

封裝/外殼: 8-PowerSFN


總結(jié)

英飛凌OptiMOS? 5功率MOSFET的設計符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,這些器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。該產(chǎn)品采用新型硅技術,經(jīng)優(yōu)化可達到并超過能源效率和功率密度要求。這些MOSFET的典型應用包括計算領域中的服務器、數(shù)據(jù)通信和客戶端應用。它們還可用于開關模式電源 (SMPS) 中的同步整流以及電機控制、微型太陽能逆變器和快速開關直流/直流轉(zhuǎn)換器應用。


公司高價回收英飛凌 IAUT300N08S5N014 車規(guī)級MOSFET,只回收正規(guī)渠道貨源,如代理商、貿(mào)易商、終端工廠等。


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