最新資訊LMG3526R050RQSR 650V GaN FET具有集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，可讓設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。
概述
LMG3526R050RQSR 650V GaN FET具有集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，可讓設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。LMG3526R050集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)150V/ns的開關(guān)速度。與分立式硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比，TI的集成式精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)SOA。這種集成特性與TI的低電感封裝技術(shù)相結(jié)合，可在硬開關(guān)電源拓?fù)渲刑峁┏〉恼疋徍透蓛舻拈_關(guān)?？烧{(diào)柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度允許將壓擺率控制在15V/ns至150V/ns之間。這可用于主動(dòng)控制EMI并優(yōu)化開關(guān)性能。
特性
帶集成柵極驅(qū)動(dòng)器的650V硅上氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET)
集成高精度柵極偏置電壓
200V/ns FET釋抑
3.6MHz開關(guān)頻率
15V/ns到150V/ns轉(zhuǎn)換速率，用于優(yōu)化開關(guān)性能和緩解EMI
在7.5V至18V電源下工作
高級(jí)電源管理
數(shù)字溫度PWM輸出
有助于實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器的零電壓檢測(cè)功能
強(qiáng)大的保護(hù)功能
響應(yīng)時(shí)間少于100ns的逐周期過流和鎖存短路保護(hù)
硬開關(guān)時(shí)可承受720 V浪涌
針對(duì)內(nèi)部過熱和UVLO監(jiān)控的自我保護(hù)
頂部冷卻12mm ×12mm VQFN封裝將電氣路徑和熱路徑分開，以實(shí)現(xiàn)最低的功率環(huán)路電感
應(yīng)用
? 開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器
? 商戶網(wǎng)絡(luò)和服務(wù)器PSU
? 商用電信用整流器
? 太陽(yáng)能逆變器和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
? 不間斷電源
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