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英飛凌第二代CoolSiC? 8-234mΩ 1200V SiC MOSFET D2PAK-7L封裝

英飛凌第二代CoolSiC? 8-234mΩ 1200V SiC MOSFET D2PAK-7L封裝

來源:本站時間:2024-07-12瀏覽數:

摘要:英飛凌第二代CoolSiC?8-234mΩ1200VSiCMOSFET采用DPAK-7L封裝,性能顯著提升,適用于各類功率變換。產品系列包括11個型號,特點包括低開關損耗、高過載運行溫度、抗寄生開通等。英飛凌新品第二代CoolSiC? 8-234mΩ 1200V SiC MOSFET DPAK-7L封裝采用DPAK-7L(TO-2…

摘要:英飛凌第二代CoolSiC?8-234mΩ1200VSiCMOSFET采用D2PAK-7L封裝,性能顯著提升,適用于各類功率變換。產品系列包括11個型號,特點包括低開關損耗、高過載運行溫度、抗寄生開通等。


英飛凌新品第二代CoolSiC? 8-234mΩ 1200V SiC MOSFET D2PAK-7L封裝

QQ圖片20240712132822.png

采用D2PAK-7L(TO-263-7)封裝的第二代CoolSiC? G2 1200V MOSFET系列以第一代技術的優(yōu)勢為基礎,加快了系統設計的成本優(yōu)化,實現高效率、緊湊設計和可靠性。


第二代產品在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進,適用于所有常見的交流-直流、直流-直流和直流-交流各種功率變換。


產品特點:

開關損耗極低

過載運行溫度最高可達T vj =200°C

短路耐受時間2μs

標桿性的柵極閾值電壓, VGS(th) =4.2V

抗寄生開通能力強,可用0V柵極關斷電壓

用于硬換流的堅固體二極管

.XT互聯技術可實現同類最佳的散熱性能


產品優(yōu)勢:

最低R DS(on) ,最高輸出能力

市場上最精細的產品系列,8-234mΩ11個型號

過載運行溫度最高可達T vj =200°C

強大的短路額定值

雪崩穩(wěn)健性


應用領域:

電動汽車充電

組串逆變器

在線式UPS/工業(yè)UPS

通用變頻器(GPD)


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