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NEO推出3D X-AI芯片:AI計(jì)算性能暴增,功耗降低99%!

NEO推出3D X-AI芯片:AI計(jì)算性能暴增,功耗降低99%!

來(lái)源:本站時(shí)間:2024-08-16瀏覽數(shù):

最近,NEO半導(dǎo)體宣布開(kāi)發(fā)其3D X-AI芯片技術(shù),旨在取代當(dāng)前高帶寬內(nèi)存(HBM)中的DRAM芯片,通過(guò)在3D DRAM中實(shí)現(xiàn)AI處理來(lái)解決數(shù)據(jù)總線問(wèn)題。通常來(lái)說(shuō),當(dāng)前的 AI芯片架構(gòu)將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在高帶寬內(nèi)存中,并通過(guò)數(shù)據(jù)總線將數(shù)據(jù)傳輸?shù)?GPU 以執(zhí)行 AI算法(數(shù)學(xué)計(jì)算)。這種架構(gòu)效率低…

最近,NEO半導(dǎo)體宣布開(kāi)發(fā)其3D X-AI芯片技術(shù),旨在取代當(dāng)前高帶寬內(nèi)存(HBM)中的DRAM芯片,通過(guò)在3D DRAM中實(shí)現(xiàn)AI處理來(lái)解決數(shù)據(jù)總線問(wèn)題。


通常來(lái)說(shuō),當(dāng)前的 AI芯片架構(gòu)將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在高帶寬內(nèi)存中,并通過(guò)數(shù)據(jù)總線將數(shù)據(jù)傳輸?shù)?GPU 以執(zhí)行 AI算法(數(shù)學(xué)計(jì)算)。這種架構(gòu)效率低下,數(shù)據(jù)總線會(huì)導(dǎo)致長(zhǎng)時(shí)間延遲和高功耗。


而3D X-AI使用存儲(chǔ)單元來(lái)模擬神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中的突觸。它支持在同一芯片中進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和人工智能操作。存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)直接用于生成神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的輸出,而不進(jìn)行任何數(shù)學(xué)計(jì)算,從而大大提高人工智能性能并顯著節(jié)省能源。

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3D X-AI芯片是一種具有AI處理能力的3D DRAM在同一芯片中,它底部有一個(gè)神經(jīng)元電路層,頂部有300層存儲(chǔ)單元,容量為128 GB。這種創(chuàng)新的芯片可以將人工智能芯片的性能提高100倍,并將功耗降低99%。它具有8倍更高的密度,非常適合存儲(chǔ)大型語(yǔ)言模型(LLM),用于生成式人工智能應(yīng)用程序,如Chat GPT,Gemini和CoPilot。

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NEO半導(dǎo)體介紹,采用NEO的3D X-AI技術(shù)的人工智能芯片可實(shí)現(xiàn),100X性能加速:包含8000個(gè)神經(jīng)元電路,可在3D內(nèi)存中執(zhí)行A1處理;99%功耗降低:將數(shù)據(jù)傳輸?shù)紾PU進(jìn)行計(jì)算的需求最小化,從而減少數(shù)據(jù)總線產(chǎn)生的功耗和熱量;8X內(nèi)存密度:包含300個(gè)內(nèi)存層,允許存儲(chǔ)更大的AI模型。據(jù)NEO估計(jì),每個(gè)芯片可支持高達(dá)10 TB/s的AI處理吞吐量。使用12個(gè)3D X- AI 芯片堆疊HBM封裝可實(shí)現(xiàn)120 TB/s處理吞吐量,性能提高100X。


這里的3D DRAM也是NEO半導(dǎo)體的研發(fā)方向之一。與水平放置存儲(chǔ)單元的傳統(tǒng)DRAM不同,3D DRAM垂直堆疊存儲(chǔ)單元大大增加單位面積的存儲(chǔ)容量并提高效率,成為下一代DRAM關(guān)鍵發(fā)展方向。


NEO表示,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)用于支持處理器,使DRAM在電子設(shè)備中的使用更加普遍。然而,處理器速度的增長(zhǎng)速度比多代內(nèi)存速度更快,由此產(chǎn)生的“性能差距”逐年擴(kuò)大。像云數(shù)據(jù)中心這樣的功耗敏感環(huán)境越來(lái)越依賴更高功率的處理器來(lái)滿足性能要求,但這會(huì)減少可用于內(nèi)存的功率。


采用X-DRAM架構(gòu)可以降低功耗,降低延遲,并增加吞吐量,以克服使用傳統(tǒng)DRAM時(shí)遇到的這些和其他挑戰(zhàn)。這為商業(yè)系統(tǒng)(例如服務(wù)器)提供了更高的性能,為移動(dòng)設(shè)備(例如智能手機(jī))提供了更長(zhǎng)的電池壽命,為邊緣計(jì)算設(shè)備(例如路由器)提供了更多的功能,并為物聯(lián)網(wǎng)對(duì)象(例如網(wǎng)關(guān))提供了新的部署選項(xiàng)。


3D X-DRAM的單元陣列結(jié)構(gòu)類似于3D NAND Flash,采用了FBC(無(wú)電容器浮體單元)技術(shù),它可以通過(guò)添加層掩模形成垂直結(jié)構(gòu),從而實(shí)現(xiàn)高良率、低成本和顯著的密度提升。NEO表示, 3D X-DRAM 技術(shù)可以生產(chǎn)230層的128Gbit DRAM 芯片,是當(dāng)前 DRAM 密度的八倍。近年來(lái),SK海力士、三星電子、美光等存儲(chǔ)廠商都在進(jìn)行3D DRAM技術(shù)的研發(fā),以期滿足于AI浪潮下對(duì)高性能、大容量?jī)?nèi)存的需求。

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