STD20NF06LAG:汽車(chē)級(jí)N溝道60 V、32 mOhm典型值、24 A STripFET II功率MOSFET,DPAK封裝介紹:STD20NF06LAG功率MOSFET是使用意法半導(dǎo)體獨(dú)特的STripFET工藝開(kāi)發(fā)的,該工藝專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于最小化輸入電容和柵極電荷。這使得該器件適合用作高級(jí)高效隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的主開(kāi)關(guān),…
STD20NF06LAG:汽車(chē)級(jí)N溝道60 V、32 mOhm典型值、24 A STripFET II功率MOSFET,DPAK封裝
介紹:
STD20NF06LAG功率MOSFET是使用意法半導(dǎo)體獨(dú)特的STripFET工藝開(kāi)發(fā)的,該工藝專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于最小化輸入電容和柵極電荷。這使得該器件適合用作高級(jí)高效隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的主開(kāi)關(guān),適合電信和計(jì)算機(jī)應(yīng)用,以及具有低柵極電荷驅(qū)動(dòng)要求的應(yīng)用。
詳細(xì)參數(shù)
制造商:STMicroelectronics
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:DPAK-3 (TO-252-3)
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Id-連續(xù)漏極電流:24 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:40 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V
Qg-柵極電荷:13 nC
最小工作溫度:- 55°C
最大工作溫度:+ 175°C
Pd-功率耗散:60 W
通道模式:Enhancement
資格:AEC-Q101
商標(biāo)名:STripFET
系列:STD20NF06LAG
封裝:Reel
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
配置:Single
下降時(shí)間:12 ns
產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFETs
上升時(shí)間:50 ns
晶體管類(lèi)型:1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:20 ns
典型接通延遲時(shí)間:11 ns
單位重量:360 mg
時(shí)間:2025-02-24
時(shí)間:2025-02-24
時(shí)間:2025-02-24
時(shí)間:2025-02-24
電話咨詢(xún):86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時(shí)間:9:00-18:00
聯(lián)系郵箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國(guó)利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達(dá)電子公司所有 粵ICP備05062024號(hào)-12
官方二維碼
友情鏈接: