深圳市明佳達電子供應 英飛凌 FF8MR12W1M1HS4PB11 碳化硅 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊產(chǎn)品描述FF8MR12W1M1HS4PB11 是 EasyDUAL? 2B CoolSiC? MOSFET 半橋模塊，電壓為 1200 V，G1 為 8 mΩ，集成了 NTC 溫度傳感器、PressFIT 觸點技術和氮化鋁陶瓷。特點同類最佳，高度為…
深圳市明佳達電子供應 英飛凌 FF8MR12W1M1HS4PB11 碳化硅 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊
產(chǎn)品描述
FF8MR12W1M1HS4PB11 是 EasyDUAL? 2B CoolSiC? MOSFET 半橋模塊，電壓為 1200 V，G1 為 8 mΩ，集成了 NTC 溫度傳感器、PressFIT 觸點技術和氮化鋁陶瓷。
特點
同類最佳，高度為 12.25 毫米
領先的 WBG 材料
極低的模塊雜散電感
增強型 CoolSiC? 第一代 MOSFET
采用增強型 1 溝道技術
更大的柵極驅動電壓窗口
電壓窗口為 15 至 18 V 和 0 至 -5 V
擴展的最大柵極-源極電壓
柵極-源極電壓為 +23 V 和 -10 V
Tvjop：過載條件高達 175°C
集成 NTC 溫度傳感器
優(yōu)勢
出色的模塊效率
系統(tǒng)成本優(yōu)勢
提高系統(tǒng)效率
降低冷卻要求
實現(xiàn)更高頻率
提高功率密度
DCB 材料的導熱性
應用
儲能系統(tǒng)
電動汽車充電
燃料電池 DC-DC 升壓轉換器
光伏
不間斷電源 (UPS)
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